Panasonic startet Massenproduktion von High-Speed-Gate-Treibern für GaN-Leistungstransistor X-GaN (TM)

(07.11.2016, Pharma-Zeitung.de) MÜNCHEN - Copyright by Business Wire - Panasonic Corporation

-Unser Beitrag zu Platz- und Energieeinsparungen von Energieumwandlungsgeräten-

Die Panasonic Corporation hat heute bekannt gegeben, dass sie im November 2016 die Massenproduktion eines für den Antrieb seines GaN-Leistungstransistors X-GaN optimierten High-Speed-Gate-Treibers (AN34092B) startet. Das Unternehmen wird auch die Massenproduktion von zwei Arten von X-GaN (PGA26E07BA und PGA26E19BA) starten und Lösungen in Kombination mit High-Speed-Gate-Treibern anbieten.



Dieser Smart News Release enthält Multimedia. Vollständige Veröffentlichung hier ansehen: http://www.businesswire.com/news/home/20161107006611/de/

Single-channel high-speed gate driver for "X-GaN" power transistor AN34092B (Photo: Business Wire)

GaN ist eine der nächsten Generationen von Halbleiterverbindungen, die Platz- und Energieeinsparungen erreichen können, wenn sie bei in verschiedenen Aggregaten verwendeten Transistoren zum Einsatz kommen. Ein Gate-Treiber ist erforderlich, um einen Transistor anzutreiben; jedoch können allgemeine Gate-Treiber für konventionelle Silizium- (Si) Transistoren nicht das Potential der GaN-Transistoren ausnutzen, da die Gate-Struktur von GaN-Transistoren sich von der von Si-Transistoren unterscheidet.

Der neue High-Speed-Gate-Treiber (AN34092B) hilft unserem X-GaN, leicht und sicher ein Schaltverhalten mit hoher Geschwindigkeit zu erreichen. Es kann Transistoren mit hohen Frequenzen von bis zu 4 MHz antreiben und integriert die aktive Miller-Klemmfunktion[1] , die Störungen während der Hochgeschwindigkeits-Schaltungen verhindert. X-GaN erreicht einen 600 V-Durchbruchanreicherungsmodus[2] durch unsere einzigartige Technologie und bietet Hochgeschwindigkeits-Schaltungen und einen niedrigen On-Widerstand[3]. Die Kombination aus X-GaN und dedizierten High-Speed-Gate-Treibern wird der Industrie und Verbrauchern erheblich zu Platz- und Energieeinsparungen von verschiedenen Leistungsumwandlungsgeräten verhelfen.

X-GaN und dedizierte High-Speed-Gate-Treiber eignen sich für verschiedene Anwendungen wie 100 W- bis 5 kW-Netzteile, Wechselrichter, Rechenzentren, mobile Basisstationen, Unterhaltungselektronik, audio-visuelle Geräte, industrielle und medizinische Geräte.

X-GaN und dedizierte High-Speed-Gate-Treiber werden auf der electronica 2016 in München von Dienstag dem 8. bis Freitag, dem 11. November 2016 ausgestellt.

[Video]Panasonic beginnt Massenfertigung von Leistungstransistor X-GaN[Englisch] http://channel.panasonic.com/contents/19314/[Deutsch] http://channel.panasonic.com/contents/19315/* Englisches Video steht zum Download bereit unter https://vimeo.com/190235768/a7a95b0b72.

[Über den High-Speed-Gate-Treiber (AN34092B)]ProduktpaletteAN34092BEigenschaften•Antrieb von Transistoren bei hohen Frequenzen von bis zu 4 MHz, die Platz einsparen•Erreichen einer hohen Anstiegsrate, die zur Energieeinsparung beiträgt•Integration der aktiven Miller-Klemmfunktion, die Störungen während Hochgeschwindigkeits-Schaltungen verhindert

Erfahren Sie mehr über High-Speed-Gate-Treiber (AN34092B) unter http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/#products-document

[Über X-GaN]ProduktpalettePGA26E07BA (70 mOhm) und PGA26E19BA (190 mOhm)EigenschaftenX-GaN erreicht einen 600 V-Durchbruchanreicherungsmodus durch unsere einzigartige Technologie und ist stromkollapsfrei[4]. Die Hochgeschwindigkeitsoperationen ermöglichen einen höheren Leistungsumwandlungswirkungsgrad und eine weitere Größenreduzierung.

Erfahren Sie mehr über X-GaN unter:http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/

[Ähnliche Informationen][Pressemitteilung] Panasonic führt industrieweit kleinstes Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistoren-Paket mit 600 V (18. Mai 2015) einhttp://news.panasonic.com/global/press/data/2015/05/en150518-4/en150518-4.html[Film] Geschichte der Entwicklung: Panasonics neue Generation von Aggregaten, „X-GaN“https://channel.panasonic.com/contents/16417/Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/

[Hinweis][1] Aktive Miller-KlemmeDie aktive Miller-Klemme ist eine Funktion, die die Gate-Spannung direkt auf die Bodenhöhe fixiert, um Spannungsspitzen am Gate in lauten Umgebungen zu reduzieren, die Fehlfunktion des Transistors verursachen können, wenn er ausgeschaltet ist.

[2] AnreicherungsmodusEin Anreicherungsmodus ist ein Merkmal von Halbleitervorrichtungen, das normalerweise ausgeschaltet ist, wenn keine Spannung an das Gate angelegt wird. Es wird auch normally-off genannt.

[3] Niedriger On-WiderstandOn-Widerstand ist der Widerstand zwischen dem Drain und der Source-Elektrode eines Transistors, wenn der Transistor eingeschaltet ist. Je niedriger der Wert ist, desto kleiner ist der Verlust des Transistors.

[4] StromkollapsStromkollaps ist ein Phänomen, bei dem Elektronen im Drain-Bereich durch die Energie der Hochspannung eingefangen wird, die zwischen der Drain- und der Source-Elektrode angelegt wird. Da die eingefangenen Elektronen den Stromfluss von der Drain- zur Source-Elektrode verhindern, wenn der Transistor eingeschaltet ist, nimmt der On-Widerstand zu.

Über PanasonicDie Panasonic Corporation ist ein weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung verschiedener elektronischer Technologien und Lösungen für Kunden in den Bereichen Unterhaltungselektronik, Immobilien, Automobilindustrie, Unternehmenslösungen und Geräte. Seit seiner Gründung im Jahr 1918 hat das Unternehmen weltweit expandiert und unterhält mittlerweile 474 Tochtergesellschaften und 94 verbundene Unternehmen weltweit, die in dem am 31. März 2016 zu Ende gegangenen Geschäftsjahr einen Nettoumsatz von insgesamt 7,553 Billionen Yen ausweisen konnten. Im Bestreben, durch bereichsübergreifende Innovationen neue Werte zu schaffen, nutzt das Unternehmen seine Technologien, um seinen Kunden bessere Lebensbedingungen und eine bessere Welt zu ermöglichen. Weitere Informationen zu Panasonic: http://www.panasonic.com/global.

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