Integra Technologies stellt die branchenweit erste 100-V-HF-GaN/SiC-Technologie für missionskritische Verteidigungsanwendungen vor

(14.07.2021, Pharma-Zeitung.de) EL SEGUNDO, Kalifornien (USA) - Copyright by Business Wire - Integra Technologies, Inc.


Das erste 100-V-HF-GaN-Produkt von Integra, der IGN1011S3600, liefert eine bahnbrechende Ausgangsleistung von 3,6 Kilowatt bei 70 % Effizienz für Avioniksysteme der nächsten Generation


Integra, ein führender Anbieter von innovativen HF- und Mikrowellen-Leistungslösungen, die dazu beitragen, die Welt sicherer zu machen und besser zu vernetzen, hat heute ein branchenweit erstes 100-V-HF-GaN/SiC-System vorgestellt, das auf ein breites Anwendungsspektrum abzielt, darunter Radar, Avionik, elektronische Kriegsführung, industrielle, wissenschaftliche und medizinische Systeme. Die neue, mit 100 V arbeitende Technologie sprengt die Leistungsgrenzen herkömmlicher HF-Systeme, indem sie es ermöglicht mit einem einzigen GaN-Transistor 3,6 Kilowatt (kW) Ausgangsleistung zu erzielen. Im Vergleich zur derzeit gängigeren 50-V/65-V-GaN-Technologie ermöglicht die 100-V-GaN-Technologie von Integra Entwicklern die drastische Erhöhung der Systemleistung und Funktionalität und gleichzeitig die Verwendung einfacherer Systemarchitekturen mit weniger leistungsbündelnden Schaltungen. Dies zahlt sich für Kunden letztlich durch verkleinerten Systembedarf und geringere Systemkosten aus.


Suja Ramnath, Präsident und CEO von Integra, erklärte: „Die 100-V-RF-GaN-Technologie von Integra ist ein wichtiger Meilenstein auf dem Hochleistungs-Markt. Diese innovative Technologie durchbricht die Barrieren, die bisher die Systemleistung begrenzt haben, und ermöglicht neue Architekturen, die bisher nicht möglich waren. Wir freuen uns, dass diese bahnbrechende Technologie es unseren Kunden ermöglichen wird, eine neue Generation von hochleistungsfähigen HF-Leistungslösungen mit mehreren Kilowatt zu liefern und gleichzeitig ihre Design-Zykluszeit und Produktkosten zu reduzieren.“


Dr. Mahesh Kumar, Systemarchitekt für Radarsysteme in Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich, erklärte: „Integra's erste marktreife 100-V-RF-GaN-Technologie schafft völlig neue Maßstäbe für die Möglichkeiten von Hochleistungs-HF-Systemen.“ Da die neue Technologie im Vergleich zum herkömmlichen 50-V-GaN-Transistor die annähernd doppelte Leistung in einem einzigen Gehäuse liefert, entfällt eine beträchtliche Anzahl von Kombinatoren und zugehörigen elektronischen Schaltungen, was zu einem geringeren Volumen, Gewicht und Kosten des Systems sowie zu einer höheren Systemeffizienz führt.


Integras erstes 100-V-HF-GaN-Produkt ist der IGN1011S3600, der speziell für Avionik-Anwendungen entwickelt wurde. Der IGN1011S3600 liefert eine branchenweit führende Ausgangsleistung von 3,6 kW bei 19 dB Gewinn und einem 70%igen Wirkungsgrad. Der auf der 100-V-RF-GaN-Technologie von Integra basierende IGN1011S3600 bietet eine überzeugende Lösung für Vorhaben, bei denen es auf die Optimierung von Größe, Gewicht, Leistung und Kosten (SWAP-C) ankommt. Der IGN1011S3600 100V RF GaN/SiC ist zur Bemusterung für qualifizierte Kunden verfügbar.


Teilenummer


IGN1011S3600


Frequenzbereich


1030–1090 MHz


Ausgangsleistung


3600 W


Effizienz


70 %


Großsignalgewinn


19 dB


Drainvorspannung


100 V


ÜBER INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.


Integra wurde 1997 gegründet und ist ein führender Innovator von modularen HF- und Mikrowellen-Hochleistungshalbleiter- und -Verstärkerlösungen für missionskritische Anwendungen, einschließlich modernster Radarsysteme, elektronischer Kriegsführung und hochentwickelter Kommunikationssysteme. Weitere Informationen finden Sie unter http://www.integratech.com


Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.


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